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AV03-30


SI Z- Diode
GFX
UZ 30V
IZ -
rdif -
Tol. -
Ptot 10W
- -
die AV03-30 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 30V, N = 10W, Anwend: Z- Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu AV03-30
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse:-
AV03-30 Datenblatt (jpg):-
AV03-30 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen: ↑BZX98C30, [mehr]
BZX98C30,BZY93/C30,1N2989
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AV03-30


SI Z- Diode
GFX
UZ 30V
IZ -
rdif -
Tol. -
Ptot 10W
- -
die AV03-30 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 30V, N = 10W, Anwend: Z- Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu AV03-30
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse:-
AV03-30 Datenblatt (jpg):-
AV03-30 Datenblatt (pdf):-
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Ähnliche Typen: ↑BZX98C30, [mehr]
BZX98C30,BZY93/C30,1N2989
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AV03-30


SI Z- Diode
GFX
UZ 30V
IZ -
rdif -
Tol. -
Ptot 10W
- -
die AV03-30 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 30V, N = 10W, Anwend: Z- Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu AV03-30
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse:-
AV03-30 Datenblatt (jpg):-
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Ähnliche Typen: ↑BZX98C30, [mehr]
BZX98C30,BZY93/C30,1N2989
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

BZX98C30


SI Z- Diode
similar to AV03-30, see note
GFX
UZ 30V
IZ 330mA
rdif <15Ω
Tol. -
Ptot 13W
TJ 150°C
die BZX98C30 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 30V, N = 13W, Anwend: Einsatz in Stufen bei hoher Leistung, 5% Toleranz
Photo: -
Quelle: SH Datenbuch 1980/81 Diod...... [mehr]
SH Datenbuch 1980/81 Dioden
Ähnlicher Typ: BZX98C30
OEM:Siemens AG
Gehäuse:-
BZX98C30 Datenblatt (jpg):verfügbar
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BZX98C30


SI Z- Diode
similar to AV03-30, see note
GFX
UZ 30V
IZ 330mA
rdif <15Ω
Tol. -
Ptot 13W
TJ 150°C
die BZX98C30 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 30V, N = 13W, Anwend: Einsatz in Stufen bei hoher Leistung, 5% Toleranz
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Quelle: SH Datenbuch 1980/81 Diod...... [mehr]
SH Datenbuch 1980/81 Dioden
Ähnlicher Typ: BZX98C30
OEM:Siemens AG
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BZX98C30


SI Z- Diode
similar to AV03-30, see note
GFX
UZ 30V
IZ 330mA
rdif <15Ω
Tol. -
Ptot 13W
TJ 150°C
die BZX98C30 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 30V, N = 13W, Anwend: Einsatz in Stufen bei hoher Leistung, 5% Toleranz
Photo: -
Quelle: SH Datenbuch 1980/81 Diod...... [mehr]
SH Datenbuch 1980/81 Dioden
Ähnlicher Typ: BZX98C30
OEM:Siemens AG
Gehäuse:-
BZX98C30 Datenblatt (jpg):verfügbar
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

BZY93/C30


SI Z- Diode
similar to AV03-30, see note
GFX
UZ 28-32V
IZ 500mA
rdiff 2.5Ω
Tol. -
Ptot 20W
- -
die BZY93/C30 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 28-32V, N = 20W, Anwend: Stabilisierungs- Stufen sowie als Suppressor Diode im Bereich Überspannungsschutz, Kathode ist mit dem Gehäuse ve... [mehr]
die BZY93/C30 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 28-32V, N = 20W, Anwend: Stabilisierungs- Stufen sowie als Suppressor Diode im Bereich Überspannungsschutz, Kathode ist mit dem Gehäuse verbunden, R=Anschlüsse gedreht
Photo: -
Quelle: Va Halbleiterdioden fuer...... [mehr]
Va Halbleiterdioden fuer die Leistungselektronik 1983
Ähnlicher Typ: BZY93/C30
OEM:Valvo GmbH
Gehäuse: DO-4
BZY93/C30 Datenblatt (jpg):verfügbar
BZY93/C30 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
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BZY93/C30


SI Z- Diode
similar to AV03-30, see note
GFX
UZ 28-32V
IZ 500mA
rdiff 2.5Ω
Tol. -
Ptot 20W
- -
die BZY93/C30 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 28-32V, N = 20W, Anwend: Stabilisierungs- Stufen sowie als Suppressor Diode im Bereich Überspannungsschutz, Kathode ist mit dem Gehäuse ve... [mehr]
die BZY93/C30 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 28-32V, N = 20W, Anwend: Stabilisierungs- Stufen sowie als Suppressor Diode im Bereich Überspannungsschutz, Kathode ist mit dem Gehäuse verbunden, R=Anschlüsse gedreht
Photo: -
Quelle: Va Halbleiterdioden fuer...... [mehr]
Va Halbleiterdioden fuer die Leistungselektronik 1983
Ähnlicher Typ: BZY93/C30
OEM:Valvo GmbH
Gehäuse: DO-4
BZY93/C30 Datenblatt (jpg):verfügbar
BZY93/C30 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
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BZY93/C30


SI Z- Diode
similar to AV03-30, see note
GFX
UZ 28-32V
IZ 500mA
rdiff 2.5Ω
Tol. -
Ptot 20W
- -
die BZY93/C30 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 28-32V, N = 20W, Anwend: Stabilisierungs- Stufen sowie als Suppressor Diode im Bereich Überspannungsschutz, Kathode ist mit dem Gehäuse ve... [mehr]
die BZY93/C30 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 28-32V, N = 20W, Anwend: Stabilisierungs- Stufen sowie als Suppressor Diode im Bereich Überspannungsschutz, Kathode ist mit dem Gehäuse verbunden, R=Anschlüsse gedreht
Photo: -
Quelle: Va Halbleiterdioden fuer...... [mehr]
Va Halbleiterdioden fuer die Leistungselektronik 1983
Ähnlicher Typ: BZY93/C30
OEM:Valvo GmbH
Gehäuse: DO-4
BZY93/C30 Datenblatt (jpg):verfügbar
BZY93/C30 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

1N2989


SI Z- Diode
similar to AV03-30, see note
GFX
UZ 30V
IZ 85mA
rdiff 8Ω
Tol. -
Ptot 10W
TJ 175°C
die 1N2989 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 30V, N = 10W, Anwend: Einsatz vorzugsweise im professionellen und militärischen Bereich, Anode ist mit dem Gehäuse verbunden, +/-20% Toleranz
Photo: -
Quelle: SH Datenbuch 1980/81 Diod...... [mehr]
SH Datenbuch 1980/81 Dioden
Ähnlicher Typ: 1N2989
OEM:Siemens AG
Gehäuse: DO-4
1N2989 Datenblatt (jpg):verfügbar
1N2989 Datenblatt (pdf):-
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1N2989


SI Z- Diode
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GFX
UZ 30V
IZ 85mA
rdiff 8Ω
Tol. -
Ptot 10W
TJ 175°C
die 1N2989 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 30V, N = 10W, Anwend: Einsatz vorzugsweise im professionellen und militärischen Bereich, Anode ist mit dem Gehäuse verbunden, +/-20% Toleranz
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SH Datenbuch 1980/81 Dioden
Ähnlicher Typ: 1N2989
OEM:Siemens AG
Gehäuse: DO-4
1N2989 Datenblatt (jpg):verfügbar
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OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen: ↑-
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1N2989


SI Z- Diode
similar to AV03-30, see note
GFX
UZ 30V
IZ 85mA
rdiff 8Ω
Tol. -
Ptot 10W
TJ 175°C
die 1N2989 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 30V, N = 10W, Anwend: Einsatz vorzugsweise im professionellen und militärischen Bereich, Anode ist mit dem Gehäuse verbunden, +/-20% Toleranz
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SH Datenbuch 1980/81 Dioden
Ähnlicher Typ: 1N2989
OEM:Siemens AG
Gehäuse: DO-4
1N2989 Datenblatt (jpg):verfügbar
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